Mokslo tiriamųjų darbų temos magistrantams

 

2017/2018 m. m.

1 Tema: Organinių saulės elementų ir jiems skirtų medžiagų krūvininkų judrio tyrimo metodikos sukūrimas dažninės skyros foto-sužadinimo principu. B3-B4 arba M1 studentams

Aprašymas:

Organiniais puslaidininkiais grįsta vaizdų ir šviesos technologija toliau gerina rekordus ir skverbiasi vis į naujas taikymo sritis. AMOLED ir kitais prekiniais ženklais vadinami mobilių telefonų ir didesnių vaizduoklių ekranai jau nieko nestebina, tačiau apšvietime ir saulės energetikoje vis dar vyrauja neorganiniai puslaidininkiai. Viena iš esminių organinių ir hibridinių puslaidininkių savybių, trukdanti skverbtis į didelių galių sritį, yra santykinai mažas krūvininkų judris, neleidžiantis pasiekti reikiamo elektros srovės tankio. Krūvininkų judris yra matuojamas įvairiais metodais kaip pavyzdžiui CELIV, tačiau mes siūlome studentui į šį reiškinį pažiūrėti per harmoninių (sinuso formos) signalų prizmę. Pvz. dažninės skyros liuminescencijos gesimo trukmių matavimo metodika yra žinoma seniai, tačiau šiuos principus galima perkelti ir medžiagos elektrinių savybių tyrimui. Ieškomas atkaklus savarankiško darbo nebijantis studentas, norintis dažninės skyros rymo metodus pritaikyti šiuolaikinių moderniausių organinių ir hibridinių puslaidininkinių medžiagų tyrimui.

Vadovas: doc. Pranciškus Vitta (pranciskus.vitta@ff.vu.lt), NFTMC A204 kab.

2 Tema: Impulsinės fotojonizacijos spektroskopija MOCVD GaN struktūrose (stud. Laimonas Deveikis)

Aprašymas:

MOCVD GaN epitaksiniai sluoksniai, užauginti ant Si padėklų, plačiai taikomi ne tik optoelekronikos, bet ir didelės galios greitaveikių (didelio elektronų judrio tranzistoriai – HEMTs) prietaisų gamybai. Pagamintų prietaisų parametrus įtakoja auginimo metu susiformavę taškiniai defektai bei didelis dislokacijų tankis (~109 cm-3) dėl GaN ir Si gardelių konstantos nesutapimo. Yra žinoma, kad galios prietaisų pramūšimo įtampos sumažėjimą gali lemti nuotėkio srovė buferiniame sluoksnyje dėl jame susiformavusių elektriškai aktyvių defektų. Buferinių sluoksnių legiravimas anglimi sumažina nuotėkio srovę, tačiau nulemia su anglimi siejamų taškinių defektų formavimąsi.   Taškinių defektų bei dislokacijų tankiai taip pat priklauso nuo GaN sluoksnių auginimo režimų. Taigi, siekiant optimizuoti prietaisų veiką, būtina kontroliuoti defektų parametrus GaN epitaksiniuose sluoksniuose.

Šiame darbe studentas ištirs skirtingais technologiniai režimais MOCVD būdu užaugintų GaN bandinių rinkinį pasitelkiant impulsinės fotojonizacijos spektroskopiją, o rezultatus susies su technologiniais gamybos režimais.

Vadovas: dr. Tomas Čeponis

3 Tema: HEMT AlGaN/GaN struktūrų ant SiC padėklo charakterizavimas ir taikymas THz dažnių ruože

Vadovas: dr. Irmantas Kašalynas (irmantas.kasalynas@ftmc.lt), NFTMC D117, D116, D115, D103, D104, D102 kab.

4 Tema: GaN/AlGaN emiterių THz erdvinio spinduliavimo profilių bei spektrų tyrimas

Vadovas: dr. Ignas Grigelionis (ignas.grigelionis@ftmc.lt), NFTMC C117 kab.